Samsung ha avviato la produzione di nuovi chip di memoria embedded da 64 GB destinati ai dispositivi mobili. Si tratta di componenti progettati per offrire maggiore spazio di archiviazione direttamente all’interno di smartphone e tablet, un aspetto sempre più rilevante considerando la diffusione di prodotti privi di slot per schede microSD.
La disponibilità di memoria integrata assume infatti un peso maggiore quando l’utente non può espandere lo spazio attraverso una scheda esterna. In questo scenario, un chip da 64 GB può ridurre il rischio di esaurire rapidamente lo spazio disponibile per applicazioni, fotografie, video e altri contenuti, anche se la capacità effettivamente utilizzabile dipenderà dal sistema operativo e dal software installato sul dispositivo.
Un nuovo processo produttivo per ridurre le dimensioni
I nuovi chip Samsung sono realizzati con un processo produttivo a 10 nanometri e risultano più compatti del 20% rispetto ai modelli attuali dell’azienda. La riduzione delle dimensioni può offrire ai produttori una maggiore libertà nella progettazione dei dispositivi mobili, dove lo spazio interno deve essere distribuito tra memoria, batteria, processore e altri componenti.
Il passaggio a una tecnologia produttiva più avanzata non riguarda quindi soltanto la capacità di archiviazione. Secondo le informazioni disponibili, i nuovi chip garantiscono anche prestazioni superiori del 30% rispetto ai precedenti modelli Samsung. Il riferimento ai prodotti “vecchi” va interpretato in senso molto ampio: l’azienda considera precedenti anche chip presentati appena cinque mesi prima, a conferma della rapidità con cui si susseguono gli aggiornamenti nel settore delle memorie per dispositivi mobili.
Prestazioni superiori nelle operazioni di lettura e scrittura
Tra i dati forniti da Samsung figurano le prestazioni nelle operazioni di input e output, indicate con il valore IOPS, cioè il numero di operazioni di lettura o scrittura che il chip può gestire in un secondo. I nuovi componenti raggiungono 2.000 IOPS in scrittura e 5.000 IOPS in lettura, valori che descrivono la capacità di gestire numerose operazioni di piccole dimensioni.
Per quanto riguarda invece il trasferimento sequenziale, la memoria arriva fino a 50 Mbps in scrittura e 260 MBps in lettura, secondo le specifiche riportate. Le operazioni sequenziali riguardano flussi di dati organizzati in modo continuo e sono particolarmente indicative quando si devono leggere o scrivere quantità consistenti di informazioni.
Il confronto proposto da Samsung mette in evidenza la distanza rispetto alle schede di memoria microSD di classe 10. Queste ultime arrivano, secondo i dati comunicati, a 12 Mbps in scrittura e 24 Mbps in lettura. Il paragone suggerisce che la memoria embedded può offrire velocità sensibilmente più elevate rispetto a una soluzione rimovibile di quel tipo, soprattutto durante la lettura dei dati.
Una nuova interfaccia in vista della presentazione ufficiale
Oltre al processo produttivo a 10 nm e alla capacità di 64 GB, i nuovi chip utilizzano una nuova interfaccia. La fonte non specifica il nome dello standard né fornisce ulteriori dettagli sul suo funzionamento, ma la presenza di un’interfaccia aggiornata è coerente con l’obiettivo di sfruttare meglio le prestazioni dichiarate dal componente.
Samsung ha inoltre indicato che presenterà il prodotto il prossimo anno. Al momento, le informazioni disponibili si concentrano soprattutto sulle caratteristiche tecniche e sull’avvio della produzione, mentre non vengono indicati dispositivi specifici destinati a integrare questi chip, prezzi o date precise di disponibilità sul mercato.
La nuova memoria da 64 GB si inserisce così in una direzione precisa: aumentare lo spazio di archiviazione integrato e, nello stesso tempo, migliorare le prestazioni mantenendo dimensioni più contenute. Per smartphone e tablet senza espansione tramite scheda, un componente di questo tipo può diventare particolarmente importante, perché la capacità interna e la velocità della memoria incidono direttamente sull’utilizzo quotidiano del dispositivo.